2026년 7월 27일, 창신메모리테크놀로지(CXMT)가 상하이증권거래소에 상장했다. 첫날 종가는 공모가보다 465.82% 높았다. CXMT는 우리 몫을 얼마나 가져갔을까. 그리고 어디까지 가져갈 수 있을까.
글로벌 D램 매출 점유율에서 CXMT는 2025년 2분기에 4%였다. 2025년 4분기에 8%로 올라선 뒤 2026년 2분기 10%가 됐다. 1년 만에 2.5배다. 반대편에서 SK하이닉스는 같은 1년 동안 39%에서 25%로 내려갔다. 삼성전자 38%, 마이크론 24%를 더한 기존 3사의 몫은 87%다.
D램 월 웨이퍼 생산능력은 삼성전자가 66만 장, SK하이닉스가 55만 장이다. CXMT는 30만 장으로 추정된다. 한국 두 회사를 합친 121만 장의 4분의 1이다. CXMT는 이를 올해 말 35만 장, 2028년 말 50만 장으로 늘린다는 계획이다. 50만 장이면 SK하이닉스의 현재 규모에 육박한다.
물론 웨이퍼 장수가 물량은 아니다. 뒤처진 기술로 만들면 한 장에서 나오는 칩이 적고, 수율에서 한 번 더 깎인다. CXMT의 수율은 50% 안팎으로 알려져 있다.
기술격차는 전문가마다 다르게 말한다. 독립 반도체 분석가 앤드루 루는 CXMT의 D램 기술이 업계 주류보다 2~3년 뒤졌다고 본다. 권석준 성균관대 교수는 5년 전 3~4세대였던 격차가 최근 1~2세대로 좁혀졌고, 2030년대 후반에는 따라잡힐 가능성이 매우 높다고 말한다. 가장 크게 잡는 쪽은 SK하이닉스에서 26년간 D램 핵심기술을 맡았던 심대용 동아대 교수로, 5년 이상이며 오히려 더 벌어진다고 본다.
격차라는 것은 얼마나 작게 만드느냐다. D램은 셀 하나에 1비트를 담고, 16Gb 칩 하나에 그 셀이 170억 개 넘게 들어간다. 셀이 작으면 같은 170억 개가 더 좁은 면적에 들어가고, 칩이 작아지니 웨이퍼 한 장에서 더 많이 나온다. 같은 물건을 더 싸게 만들 수 있게 된다. 한국은 1c까지 왔고 CXMT는 그보다 두 세대 늦은 1a로 추정된다.
심 교수가 5년을 말하는 근거는 EUV다. 극자외선으로 미세한 무늬를 한 번에 찍어내는 노광장비로, 네덜란드 ASML이 독점하고 있다. 미국이 주도한 수출 통제로 중국에는 팔리지 않는다.
없다고 못 만드는 것은 아니다. 기존 장비로 여러 번 나누어 겹쳐 찍으면 된다. 공정 단계가 배로 늘고 겹칠 때마다 어긋남이 쌓여 수율이 떨어질 뿐이다. 수율이 낮다는 것은 불량이 많다는 뜻이지 나온 물건이 불량이라는 뜻은 아니다.
다만 이 방법에도 끝은 있다. 마이크론은 첨단 D램을 EUV 없이 만들어왔지만, 10나노 6세대에 와서는 제한적으로나마 EUV를 쓰기 시작했다. 한국식으로 1c다. 원가를 아끼려 가장 오래 버틴 쪽이 거기서 방침을 바꿨다. 거기서부터는 원가가 아닌 되고 안 되고의 문제인 것으로 보인다. 마이크론은 장비를 사면 그만이었지만 중국은 살 수 없다. 벽은 그렇게 세워져 있다.
벽 아래로 충분한 시장이 범용 D램이다. DDR5는 공정이 아니라 핀 배치와 전압과 명령 체계를 정해둔 약속이다. 두 세대 뒤진 칩은 최고 속도 등급을 뽑기 어렵고 전력을 조금 더 먹지만, 일반 PC와 보급형 서버가 쓰는 등급은 무리 없이 나온다.
지금 빼앗기고 있는 자리가 그곳이다. CXMT가 4%에서 10%로 올라오는 동안 EUV는 필요하지 않았다. 스마트폰과 일반 서버에 들어가는 D램은 100점이 필요하지 않다. 80점이면 팔리고, 물량으로 보면 그쪽이 시장의 대부분이다.
HBM은 다르다. 삼성전자는 HBM4에 1c를 쓴다. SK하이닉스는 HBM4까지 1b로 가다가 HBM4E부터 1c로 넘어간다. EUV 없이 버티던 마이크론도 HBM4E부터는 EUV를 쓴 1γ다. 2027년부터 나올 HBM은 세 회사 모두 벽 위에서 만든다. CXMT는 HBM3E까지다.
그런데 과거 낸드에서는 벽이 다르게 무너졌다. 2013년 업계는 16나노를 평면 낸드의 한계로 봤다. 더 좁히려면 겹쳐 찍는 횟수를 늘려야 했고 원가가 그만큼 나빠졌다. 그러나 삼성전자는 그해 8월 셀을 수직으로 24단 쌓은 3D 낸드를 양산하며, 앞으로 낸드는 최신 포토설비를 이용한 미세화 경쟁 대신 적층 수를 높이는 경쟁이 될 것이라고 했다.
이제 D램도 같은 갈림길에 서 있다. 삼성전자는 2030년 3D D램 상용화를 공식화했고, SK하이닉스의 로드맵에도 2030년 전후 3D D램이 들어 있다. 셀을 세로로 쌓기 시작하면 밀도는 무늬의 굵기가 아니라 층수에서 나온다. 마이크론 부사장을 지낸 박영욱 한양대 교수는 3D D램이 40~70나노 피치면 KrF로 되고, 선단이라 해도 ArF 드라이 장비면 된다고 본다. 그래서 CXMT가 10나노급 세대를 건너뛰고 3D로 직행할 수 있다고 말한다. 노광장비 수급이라는 아킬레스건에서 자유로워지기 때문이다. 그렇게 되면 격차는 남아도 벽은 사라진다.
지금은 AI 덕분에 꼭대기에 유례없는 값이 붙어 있어, 중국에 80점짜리 시장을 내주고도 장부가 사상 최대다. 그 값은 벽이 지켜주는 값이다. 벽이 무너지면 값도 내려간다. 그 전에 벌어둔 것으로 다른 싸움을 준비해야 한다. 벽이 무너지고 나면 내준 시장은 청구서로 돌아오고, 꼭대기는 더 이상 EUV가 지켜주지 않는다.
* 참조
카운터포인트리서치,
전세계 D램 및 HBM 시장 점유율: 분기별 데이터
한국경제,
"삼성전자, HBM4용 D램만 月12만장 규모 증설" (2026.02.05)
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"하이닉스, D램 월 100만장 시대 연다" (2026.06.05)
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"마이크론, 차세대 D램 선공… 삼성·SK, EUV 공정으로 장기 우위 확보할까"
(2025.03.11)
ZDNet코리아,
"마이크론, '6세대 10나노급' D램 샘플 공급…삼성·SK보다 빨랐다"
(2025.02.26)
헤럴드경제,
"中 HBM, 韓 턱밑까지 왔다…CXMT 'HBM3E' 소량 생산" (2026.09.01)
녹색경제신문,
"SK하이닉스 '1c 공정, 수율·양산 성숙'…HBM4 이후 공정 경쟁 격화"
(2026.04.24)
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"Micron's HBM4 Ramp-Up Progressing Smoothly, HBM4E Mass Production Set
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딜사이트,
"[中 반도체 공세] D램 부족 틈탄 CXMT…생산능력으로 韓 추격"
(2026.08.18)
뉴시스,
"D램 기술 2~3년 뒤진 中 창신메모리, 매출 719%↑…HBM 넘본다"
(2026.07.20)
머니투데이,
"데뷔 동시에 중국 시총 '1위'…5배 뛴 창신메모리, 이유 있는 폭등"
(2026.07.27)
코리아헤럴드,
"중국 메모리 굴기? D램 격차는 오히려 더 벌어질 것" 심대용 동아대 교수
인터뷰 (2026.02.03)
뉴스웍스,
"턱밑까지 쫓아온 '메이드 인 차이나'…'5년 내 D램 장악' 경고"
(2026.05.14)
디지털데일리,
"낸드플래시 업계, 16나노 공정 이후 3D 적층 기술 일제 적용"
(2013.08.25)
삼성전자 반도체 뉴스룸,
"삼성전자, 세계 최초 3차원 수직구조 낸드(3D V-NAND)플래시 메모리 양산"
(2013.08.06)
KIPOST,
"CXMT, 3D D램 직행할수도...3D D램 전환 속도내야" (2024.01.31)
아시아경제,
"삼성전자 '2030년 3D D램 상용화…기술 초격차 속도'" (2024.05.02)
더스탁,
"삼성·SK하이닉스의 '3D D램' 로드맵…'수직 채널' 경쟁 막 올랐다"
(2026.08.06)